SK Hynix первой в мире начала выпуск 128-слойной флеш-памяти 4D NAND - МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ:

тел.: +7(812) 701-02-32 факс: +7(812) 701-02-82 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Курчатова д.10, лит. М

ИЖЕВСК:

тел.: +7(3412) 467-100 факс: +7(3412) 933-163 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Автозаводская, д. 7
Курс валют ЦБРФ: 62.828 RUB. 1 USD | 70.8574 RUB. 1 EUR на: 16.07.2019
{"effect":"slide-v","fontstyle":"normal","autoplay":"true","timer":"4000"}

ЭЛЕКТРОННЫЕ

КОМПОНЕНТЫ

ДЛЯ ВАШЕГО УСПЕХА

ПОСТАВЩИК ЭКБ РЕГИСТР ИСО 9001 ПОСТАВЩИК ЭКБ ВВТ

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

ISO 9001

ПОСТАВКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ

С ПРИЁМКОЙ ОТК,ВП,ОС,ОСМ

РАБОТАЕМ СОГЛАСНО

275-ФЗ*, 44-ФЗ и 223-ФЗ

*с изменениями согласно 159-ФЗ

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

SK Hynix первой в мире начала выпуск 128-слойной флеш-памяти 4D NAND

Компания SK Hynix объявила о начале серийного выпуска первых в мире кристаллов 128-слойной флеш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит. Т акой кристалл представляет собой наиболее сложное изделие в своем роде: он насчитывает более 360 миллиардов ячеек, каждая из которых хранит три бита. Производитель отмечает, что это не первые кристаллы флеш-памяти плотностью 1 Тбит, но ранее речь шла о памяти QLC NAND, в каждой ячейке которой хранится четыре бита. Основным преимуществом памяти, которую SK Hynix называет 4D NAND, является повышенная плотность компоновки. Она достигается за счет вертикальной интеграции не только ячеек памяти с ловушкой заряда (CTF), но и периферийных цепей, размещаемых в подлежащем слое (эту технологию обозначают аббревиатурой PUC — от Peri. Under Cell). Примечательно, что за счет использования готовой платформы 4D и оптимизации процессов производителю удалось сократить общее количество производственных процессов на 5%, а инвестиционных затрат на переход с 96-слойной памяти к 128-слойной — на 60%. В то же время, как несложно посчитать, информационная емкость в расчете на пластину увеличилась на 40%. Поставки новой памяти SK Hynix обещает начать во втором полугодии. Высокая скорость в сочетании с низким энергопотреблением — 1400 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В — позволяет использовать новую память как мобильных устройствах, так и в корпоративных твердотельных накопителях. В первом полугодии 2020 года SK Hynix планирует разработать на базе новой памяти модуль UFS 3.1 объемом 1 ТБ для флагманских смартфонов и начать серийный выпуск SSD объемом 2 ТБ с контроллером и программным обеспечением собственной разработки. В будущем году также должны быть готовы SSD объемом 16 и 32 ТБ для облачных дата-центров. Кроме того, SK Hynix продолжает разработку 176-слойной флеш-памяти NAND следующего поколения. Источник: SK Hynix

ПОДЕЛИТЬСЯ:
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  

Вступайте в группу ВКОНТАКТЕ

Виртуальный помощник Эмдис
Scroll Up