NXP представила свой новый транзистор - МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ:

тел.: +7(812) 701-02-32 факс: +7(812) 701-02-82 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Курчатова д.10, лит. М

ИЖЕВСК:

тел.: +7(3412) 467-100 факс: +7(3412) 933-163 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Автозаводская, д. 7
Курс валют ЦБРФ: 62.8083 RUB. 1 USD | 71.3816 RUB. 1 EUR на: 27.06.2019
{"effect":"slide-v","fontstyle":"normal","autoplay":"true","timer":"4000"}

ЭЛЕКТРОННЫЕ

КОМПОНЕНТЫ

ДЛЯ ВАШЕГО УСПЕХА

ПОСТАВЩИК ЭКБ РЕГИСТР ИСО 9001 ПОСТАВЩИК ЭКБ ВВТ

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

ISO 9001

ПОСТАВКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ

С ПРИЁМКОЙ ОТК,ВП,ОС,ОСМ

РАБОТАЕМ СОГЛАСНО

275-ФЗ*, 44-ФЗ и 223-ФЗ

*с изменениями согласно 159-ФЗ

NXP представила свой новый транзистор

NXP представила новый продукт.

GaN-on-SiC HEMT превосходит по эффективности большинство существующих магнетронов.
Представители NXP заявили, что продемонстрируют на Международном микроволновом симпозиуме в Бостоне, США  транзистор, который «увеличивает эффективность большинства магнетронов работающих на частоте 2,45 ГГц».

NXP представила свой новый транзистор«Уже более 50 лет магнетроны 2,45 ГГц широко используются в бытовых и промышленных сферах – от микроволновых печей до сварочных аппаратов большой мощности», – заявили в компании. «Твердотельные решения появились на рынке несколько лет назад, однако до появления GaN-on-SiC твердотельным устройствам не хватало эффективности, чтобы соответствовать стандартам производительности действующих магнетронов».

И тут появляется MRF24G300HS, транзистор GaN-on-SiC 50 В 330 Вт (с непрерывной волной – CW), который, как утверждается, имеет 73% КПД при 2,45 ГГц, «что на пять пунктов выше, чем у новейших технологий LDMOS».

NXP представила свой новый транзистор Карбид кремния имеет хорошую теплопроводность, способствует отводу тепла из слоев транзисторов из нитрида галлия, улучшает управление мощностью и открывает двери для использования в компактных корпусах. Варианты комплектации: NI-780S или, без удерживающих вкладок, NI-780H-4L.

Кроме того, согласно сообщению NXP, технология GaN обладает высоким выходным импедансом, который «обеспечивает широкополосное согласование по сравнению с LDMOS, а упрощенное смещение затвора MRF24G300HS устраняет еще один шаг в остальной сложной последовательности включения питания, обычно наблюдаемой на устройствах GaN».

По сравнению с магнетронами, полупроводниковые источники облегчают контроль радиочастотной мощности, частоты и фазы, что позволяет динамически контролировать радиочастотные поля, особенно когда в охлаждении пищевых продуктов и промышленном нагреве используются несколько радиочастотных источников, которые предусмотрены для устройства.

MRF24G300HS сейчас проводит финальные тесты, а производство запланировано на 3 квартал 2019 года.

Международный микроволновый симпозиум состоится на этой неделе, и на выставке будет представлен усилитель мощности на 550 Вт с усилением 2×45 дБ, разработанный Prescient Wireless в рамках партнерской программы NXP.

ПОДЕЛИТЬСЯ:
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  

Вступайте в группу ВКОНТАКТЕ

Виртуальный помощник Эмдис
ВВЕРХ