На Тайване кардинально улучшили память MRAM и готовятся начать ее массовое производство уже в этом году. - МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ:

тел.: +7(812) 701-02-32 факс: +7(812) 701-02-82 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Курчатова д.10, лит. М

ИЖЕВСК:

тел.: +7(3412) 467-100 факс: +7(3412) 933-163 email: [email protected], [email protected] адрес: ул. Автозаводская, д. 7
Курс валют ЦБРФ: 62.8666 RUB. 1 USD | 70.7941 RUB. 1 EUR на: 20.07.2019
{"effect":"slide-v","fontstyle":"normal","autoplay":"true","timer":"4000"}

ЭЛЕКТРОННЫЕ

КОМПОНЕНТЫ

ДЛЯ ВАШЕГО УСПЕХА

ПОСТАВЩИК ЭКБ РЕГИСТР ИСО 9001 ПОСТАВЩИК ЭКБ ВВТ

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

ISO 9001

ПОСТАВКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ

С ПРИЁМКОЙ ОТК,ВП,ОС,ОСМ

РАБОТАЕМ СОГЛАСНО

275-ФЗ*, 44-ФЗ и 223-ФЗ

*с изменениями согласно 159-ФЗ

МИКРОН-ДИЛЕР-СЕРВИС

На Тайване кардинально улучшили память MRAM и готовятся начать ее массовое производство уже в этом году.

На Тайване кардинально улучшили память MRAM и готовятся начать ее массовое производство уже в этом году. Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) считается наиболее подходящим кандидатом на роль универсальной памяти следующего поколения. Однако до недавнего времени эффективное управление MRAM было сложной задачей. Е сли верить сообщению тайваньского национального университета Цин Хуа (NTHU), междисциплинарной исследовательской группе во главе с профессором Чих-Хуан Лаем и профессором Сюу-Хау Лин удалось совершить «революционный прорыв». В настоящее время в качестве оперативной памяти с произвольным доступом в цифровых устройствах в основном используется динамическая память (DRAM), но ее потенциал по части снижения энергопотребления и повышения плотности близится к исчерпанию. Работа DRAM построена на свойстве электрона — электрическом заряде. Однако у электрона есть и другое свойство — спин. Ученые предположили, что с помощью спинов можно управлять ячейками MRAM. Добавив в ячейку слой платины толщиной всего несколько нанометров, исследователям удалось реализовать новый механизм переключения магнитных моментов, который ранее не использовался. Он построен на использовании спинового тока. Из-за спин-орбитальных взаимодействий электрический ток вначале управляет коллективным движением электронных спинов. Затем спиновый ток эффективно и точно переключает магнитный момент ячейки. К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и маленькие размеры ячейки, а также возможность произвольного доступа и сохранение состояния в отсутствие питания. Разработки в области MRAM ведут такие крупные компании, как Samsung, Intel и TSMC. Вполне возможно, что массовое производство MRAM высокой плотности начнется уже в этом году. 

ПОДЕЛИТЬСЯ:
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  • 26.06.2019

Вступайте в группу ВКОНТАКТЕ

Виртуальный помощник Эмдис
Scroll Up